
一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法
- 申请号:CN201710879804.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 公开(公开)号:CN107681017A
- 公开(公开)日:2018.02.09
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法 | ||
申请号 | CN201710879804.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN107681017A | 公开(授权)日 | 2018.02.09 |
申请(专利权)人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明(设计)人 | 黎大兵;孙晓娟;贾玉萍;刘贺男;宋航;李志明;陈一仁;蒋红;张志伟 |
主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
专利有效期 | 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法 至一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法,属于半导体技术领域。本发明解决了AlGaN基探测器阵列制备过程中,刻蚀工艺需要有毒气体、刻蚀工艺复杂、刻蚀后器件存在漏电通道的问题,所述方法包括以下步骤:(1)生长N型AlGaN基材料;(2)制备掩膜材料;(3)制备生长窗口;(4)生长I型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料;(5)分别在N型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料上制备欧姆接触电极。本发明方法避免了AlGaN基探测器阵列制备过程中有毒气体的使用,解决了刻蚀台面存在漏电通道的问题,并且工艺简单,成本低廉,具有广阔的应用前景。 |
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