专利详情

专利名称	鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法
申请号	CN201710954211.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107674021A	公开（授权）日	2018.02.09
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	钟羽武;唐健洪;邵将洋
主分类号	C07D213/38(2006.01)I	IPC主分类号	C07D213/38(2006.01)I;C07C255/58(2006.01)I;C07C253/30(2006.01)I;C07C229/60(2006.01)I;C07C227/18(2006.01)I
专利有效期	鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法至鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法，属于电极表面修饰材料技术领域，解决了现有技术中界面修饰方法采用的桥联分子体系合成难、稳定性差以及表面吸附效率低的问题。该鼎状四胺芘，具有如下结构，采用1,3,6,8?四溴芘与二芳胺衍生物在钯催化剂的催化下发生偶联反应制得。本发明提供的鼎状四胺芘可用于修饰电极。