专利详情

专利名称	一种3D树枝状结构的光电探测器及其制作方法
申请号	CN201610536738.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107591457A	公开（授权）日	2018.01.16
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	姜辛;张兴来;刘鲁生;刘宝丹
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种3D树枝状结构的光电探测器及其制作方法至一种3D树枝状结构的光电探测器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种三维(3D)树枝状结构的光电探测器及其制作方法，属于光电探测器领域。光电探测器自下而上依次有Si基底、绝缘SiO₂层、3C?SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料和金属电极。首先，利用热碳还原的方法制备3C?SiC纳米线主干；然后，采用沉积的方法在3C?SiC纳米线表面沉积一层ZnO种子层；再利用水热的方法在ZnO种子层上生长ZnO纳米线枝杈，形成3C?SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料；最后，将单根3C?SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料转移至SiO₂/Si衬底，利用光刻和剥离技术在异质结材料两端镀上金属电极，既得所述光电探测器。本发明光电探测器具有更大的吸光面积和吸光范围，以及更有效的光生载流子分离率、更高的光电流增益和更快的光响应速度。