专利详情

专利名称	一种碳焊结构单壁碳纳米管柔性透明导电薄膜及制备方法
申请号	CN201610459221.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107527673A	公开（授权）日	2017.12.29
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	侯鹏翔;蒋松;刘畅;成会明
主分类号	H01B1/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01B1/04(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I
专利有效期	一种碳焊结构单壁碳纳米管柔性透明导电薄膜及制备方法至一种碳焊结构单壁碳纳米管柔性透明导电薄膜及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及高性能柔性透明导电薄膜制备领域，具体为一种碳焊结构单壁碳纳米管柔性透明导电薄膜及制备方法。在浮动催化剂化学气相沉积法生长单壁碳纳米管的过程中，通过降低催化剂和碳源浓度及在恒温区的停留时间，使得部分被催化剂分解的碳源形成sp²碳岛，焊接在单根单壁碳纳米管间的交叉点，最终形成具有sp²碳岛焊接结构的单壁碳纳米管薄膜，该结构薄膜具有优于柔性基底上ITO薄膜的光电性能、化学稳定性和柔性。本发明通过设计制备碳焊结构联结的单根碳纳米管，降低了碳纳米管间的接触电阻、抑制了管束形成及对光的大量吸收，获得了高性能柔性透明导电薄膜，对于推动碳纳米管薄膜在高性能光电器件领域的应用具有重要意义。