专利详情

专利名称	一种降低Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法
申请号	CN201710949886.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107513723A	公开（授权）日	2017.12.26
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	佘广为;李生阳;师文生
主分类号	C25B11/06(2006.01)I	IPC主分类号	C25B11/06(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I
专利有效期	一种降低Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法至一种降低Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种降低Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法，通过对制备的Ni/n?Si光阳极进行一个简单的快速热处理过程，减少了存在于Ni/n?Si界面之间的界面态，解除了这些界面态引起的费米能级钉扎效应，提高了Ni/n?Si所形成的肖特基势垒高度，从而在光照时Ni/n?Si光阳极产生更高的光生电压，最终降低了Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位。该降低Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法操作简单，成本低廉，适合大规模应用到金属/n?Si光阳极系统中，对于促进光电化学分解水技术的发展和应用具有积极意义。