一种铜纳米线导电体的处理方法
- 申请号：CN201610417155.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN107492421A
- 公开(公开)日：2017.12.19
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种铜纳米线导电体的处理方法 | ||
| 申请号 | CN201610417155.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN107492421A | 公开（授权）日 | 2017.12.19 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 孙静;王晓;王冉冉;王焱 |
| 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;B22F9/24(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种铜纳米线导电体的处理方法 至一种铜纳米线导电体的处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种铜纳米线导电体的处理方法，所述处理方法包括：将银盐溶于溶剂中配制处理液，并控制所述处理液的pH值为0.5～7，优选2～6；以及将铜纳米线导电体至少部分地与所述处理液接触规定时间进行活化处理以活化所述铜纳米线导电体并在所述铜纳米线导电体上沉积银纳米颗粒。本发明可以获得具有良好导电性和稳定性的铜纳米线导电体。 | ||
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