专利详情

专利名称	硒硅银钡和硒硅银钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途
申请号	CN201710695513.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107399722A	公开（授权）日	2017.11.28
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	潘世烈;年乐颜;武奎
主分类号	C01B19/00(2006.01)I	IPC主分类号	C01B19/00(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I
专利有效期	硒硅银钡和硒硅银钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途至硒硅银钡和硒硅银钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种化合物硒硅银钡和硒硅银钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途，其化学式为BaAg₂SiSe₄，分子量697.01，该晶体为四方晶系，空间群是非中心对称空间群，晶胞参数为a=b=7.066(3)?，c=8.233(7)?，α=β=γ=90°、Z=2，单胞体积V=411.1(5)?³；该制备方法为单质钡、单质银、单质硅和单质硒在真空条件下的固相反应；本发明的化合物硒硅银钡及硒硅银钡中远红外非线性光学晶体的粉末XRD谱图与理论值吻合；在2090?nm的激光照射下，颗粒度为55?88μm的BaAg₂SiSe₄倍频效应是同等颗粒度下硫镓银（AgGaS₂）的2倍。