专利详情

专利名称	光纤温度传感器及其硫化镉薄膜的制备方法
申请号	CN201610316151.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107365983A	公开（授权）日	2017.11.21
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	董玉明;岳孟果;杨春雷;冯丽丽;焦国华;鲁远甫;罗阿郁;吕建成
主分类号	C23C18/31(2006.01)I	IPC主分类号	C23C18/31(2006.01)I;G01K11/32(2006.01)I
专利有效期	光纤温度传感器及其硫化镉薄膜的制备方法至光纤温度传感器及其硫化镉薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种光纤温度传感器硫化镉薄膜的制备方法，包括如下步骤：将光纤固定于插芯后，将所述光纤的裸露端面打磨；镀膜：将硫脲、硫酸镉和氨水按照质量?体积比为5.694g:0.184g：45mL混合溶于去离子水中形成反应液；然后将所述裸露端面插入所述反应液中，利用化学水浴法在温度为65℃，反应9min，完成一次硫化镉薄膜的镀膜；重复所述镀膜步骤至n次，获得沉积有n+1层硫化镉薄膜的裸露端面，n为大于0的自然数；将经过所述重复镀膜步骤获得的光纤在200℃温度下退火处理。本发明采用化学水浴法镀硫化镉薄膜，这种方法可使硫化镉膜与光纤端面紧密结合，且镀膜厚度可控。