专利详情

专利名称	一种窄带隙n?型聚合物受体及其制备方法与应用
申请号	CN201710532586.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107298758A	公开（授权）日	2017.10.27
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	张志国;杨延康;李永舫
主分类号	C08G61/12(2006.01)I	IPC主分类号	C08G61/12(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I
专利有效期	一种窄带隙n?型聚合物受体及其制备方法与应用至一种窄带隙n?型聚合物受体及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种新型窄带隙n?型聚合物及其制备方法与应用。所述聚合物的结构式如式I所示的，式I中的共聚单元1为A?D?A型分子单元，D为芳香稠环单元，A为缺电子受体单元；式I中的共聚单元2为共轭芳环单元。本发明提供的窄带n?型隙聚合物材料，其材料成膜性能好，具有较高的摩尔吸光系数和热稳定性且具有较好的电荷传输性能以及合适的电子能级，能够作为电子受体材料与p?型电子给体聚合物匹配，应用于全聚合物太阳能电池器件。