氟基铁磁半导体材料及其制备方法
- 申请号：CN201610157611.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN107204225A
- 公开(公开)日：2017.09.26
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 氟基铁磁半导体材料及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201610157611.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN107204225A | 公开（授权）日 | 2017.09.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 靳常青;陈碧娟;邓正 |
| 主分类号 | H01F1/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F1/40(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I |
| 专利有效期 | 氟基铁磁半导体材料及其制备方法 至氟基铁磁半导体材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种氟基铁磁半导体材料及其制备方法，所述氟基铁磁半导体材料的化学式为(Ba1-xKx)F(Zn1-yMny)As，其中x和y表示原子含量，且0.05≤x≤0.2，0.025≤y≤0.15。本发明的氟基铁磁半导体材料为块体状、纯度高、稳定性好；载流子类型为空穴型，且具有负磁阻效应。 | ||
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