专利详情

专利名称	用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法
申请号	CN201610158468.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107204397A	公开（授权）日	2017.09.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;罗庆;许晓欣;吕杭炳;龙世兵;刘琦
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I
专利有效期	用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法至用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法，该方法包括：提供基底；在基底上方形成下电极；在下电极上方形成第一金属氧化物层；对第一金属氧化物层进行退火处理，以使下电极内的金属原子扩散进入第一金属氧化物层，形成掺杂有金属原子的第一金属氧化物层；在掺杂有金属原子的第一金属氧化物层上方形成第二金属氧化物层；在第二金属氧化物层上方形成上电极层；对上电极层进行图形化，形成上电极。通过该方法制成的选择器件能够提供较高的电流密度，与阻变存储器串联后形成的1S1R结构能够有效抑制阻变存储器阵列中的串扰现象。而且，该选择器件具有较高的选择比和耐久性。