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一种半极性AlN模板

  • 申请号:CN201610137669.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 公开(公开)号:CN107180884A
  • 公开(公开)日:2017.09.19
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种半极性AlN模板
申请号 CN201610137669.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107180884A 公开(授权)日 2017.09.19
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 张纪才;刘婷;王建峰;徐科
主分类号 H01L31/0392(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期 一种半极性AlN模板 至一种半极性AlN模板 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种半极性AlN模板,其具有半极性显露面,并且包含有孪晶结构或孪晶结构。本发明的半极性AlN模板可直接选用c面蓝宝石或SiC等作为衬底形成,而不需要r面蓝宝石,不仅可以减少AlN外延层中的层错,且成本低廉,而且其制备工艺简单,生长条件易于控制,在生长过程中无二次污染之虞,因此具有较高质量。

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