专利详情

专利名称	一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法
申请号	CN201710429863.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107170862A	公开（授权）日	2017.09.15
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	赵桂娟;汪连山;李辉杰;孟钰淋;吉泽生;李方政;魏鸿源;杨少延;王占国
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I
专利有效期	一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法至一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种非极性面量子点发光二极管，包括衬底及依次叠置于所述衬底上的、均为非极性面的u型GaN层、n型GaN层、有源区、p型电子阻挡层及p型GaN层，其中：有源区包括周期分布的、非极性面的InGaN量子点势阱层和GaN势垒层。以及一种非极性面量子点发光二极管的制备方法。在衬底上依次叠置非极性面的外延结构，一方面可消除量子限制斯塔克效应对器件的内量子效率的影响，有效的消除极化效应；另一方面，此晶面取向的发光二极管的发光波长可以延伸到深绿光，甚至橙光区，能缓解当今化合物半导体发光器件中的“绿隙”(green?gap)问题。