专利详情

专利名称	一种稀铋半导体量子阱
申请号	CN201710356260.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107123714A	公开（授权）日	2017.09.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	岳丽;王庶民;张焱超;潘文武;王利娟
主分类号	H01L33/06(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/06(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	一种稀铋半导体量子阱至一种稀铋半导体量子阱	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材料为S，Si，Se或Te，X为N，P，As，Sb。本发明引入δ掺杂层，有效扩展发光波长，与传统的通过增加Bi的含量扩展发光波长的GaAsBi量子阱相比，δ掺杂层的引入并没有增加材料的缺陷密度，而是使得量子阱对电子的束缚作用增强，不会降低发光强度，这对于扩展稀铋光电器件应用范围和提高器件性能都有重要的作用。