专利详情

专利名称	一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法
申请号	CN201710205623.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107093643A	公开（授权）日	2017.08.25
申请（专利权）人	大连理工大学;中国科学院高能物理研究所	发明（设计）人	夏晓川;崔兴柱;梁红伟;梁晓华;刘雅清
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/117(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法至一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。探测器以半绝缘氮化镓单晶为衬底，其上依次生长n型氮化镓层、InGaN插入层、高阻氮化镓探测灵敏区、图形化p型氮化镓层和绝缘介质保护层；其中，InGaN插入层的宽度小于n型氮化镓层的宽度，InGaN插入层和高阻氮化镓探测灵敏区的宽度相同；多个图形化p型氮化镓层间隔排布在高阻氮化镓探测灵敏区上，图形化p型氮化镓层上制备上欧姆接触电极，n型氮化镓层上未被覆盖区域制备下欧姆接触电极；图形化p型氮化镓层外部为绝缘介质保护层。本发明解决了高性能氮化镓位置灵敏辐射探测器的制备难题，实现新型氮化镓位置灵敏辐射探测器的研制。