专利详情

专利名称	硅基电注入激光器及其制备方法
申请号	CN201710255128.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107069430A	公开（授权）日	2017.08.18
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王梦琦;李稚博;周旭亮;李亚节;王鹏飞;潘教青
主分类号	H01S5/323(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/323(2006.01)I
专利有效期	硅基电注入激光器及其制备方法至硅基电注入激光器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种硅基电注入激光器及其制备方法，该制备方法包括：在绝缘硅衬底的上表面生长SiO₂层，并在SiO₂层的中间位置刻蚀出贯穿SiO₂层的第一矩形槽；腐蚀绝缘硅衬底，在与第一矩形槽相对应的位置，形成与第一矩形槽等宽的V型槽；在V型槽和第一矩形槽内生长形成N型位错限制层、N型缓冲层和外延结构；腐蚀去除SiO₂层的剩余部分，完成硅基电注入激光器的制备。本发明由于直接外延采用选区V型槽工艺，不易产生缺陷及反相畴，并可大大降低缓冲层的厚度，因此器件的总体厚度小，降低了硅基光电集成中其余器件工艺实施的难度。