专利详情

专利名称	环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构
申请号	CN201710472687.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107069432A	公开（授权）日	2017.08.18
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	程凤敏;张锦川;贾志伟;赵越;周予虹;刘峰奇;王利军;刘俊岐;刘舒曼;王占国
主分类号	H01S5/34(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/34(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S1/02(2006.01)I
专利有效期	环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构至环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层；步骤2：移除上波导层，在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅，形成一个双周期的环形光栅；步骤3：在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层；步骤4：在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构，刻蚀深度到达下光学限制层；步骤5：在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP：Fe；步骤6：在沟槽中填满半绝缘InP：Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极，镀金；步骤7：将衬底减薄，抛光，在衬底的背面蒸发背面金属电极；步骤8：刻蚀金属电极，制备出二级环形表面金属光栅，完成制备。