
制备PEDOT:PSS/Si异质结太阳电池的方法
- 申请号:CN201710252257.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号:CN106972103A
- 公开(公开)日:2017.07.21
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 制备PEDOT:PSS/Si异质结太阳电池的方法 | ||
申请号 | CN201710252257.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106972103A | 公开(授权)日 | 2017.07.21 |
申请(专利权)人 | 中国科学院电工研究所 | 发明(设计)人 | 孙佳琪;王文静;周春兰 |
主分类号 | H01L51/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/48(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I |
专利有效期 | 制备PEDOT:PSS/Si异质结太阳电池的方法 至制备PEDOT:PSS/Si异质结太阳电池的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种制备PEDOT:PSS/Si异质结太阳电池的方法,在PEDOT:PSS溶液中掺入Triton?X?100表面活性剂,掺杂的Triton?X?100表面活性剂的质量分数为0.75%?2%,纯度为98%;将得到的PEDOT:PSS溶液涂覆在硅片表面,放入真空器皿中抽气,使真空室内的气压达到1?100Pa,保持该气压3min,以去除PEDOT:PSS溶液中的气泡;取出涂覆有PEDOT:PSS溶液的硅片,用匀胶机旋涂PEDOT:PSS溶液成膜,旋涂时间60s,转速6000rpm;成膜后将硅片置于热板上进行退火处理,退火时间3?30min,退火温度80?200℃;在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液,成膜后将硅片再次置于热板上退火,退火时间15min,退火温度150℃;退火后,采用热蒸发设备在PEDOT:PSS膜上面蒸金属Ag栅线,在碳酸铯的膜上面蒸全Al背电极;在制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为15?40%。 |
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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