专利详情

专利名称	粘附性高的铜导电薄膜、其制备方法及应用
申请号	CN201610027828.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106981342A	公开（授权）日	2017.07.25
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	吴馨洲;陈征;邵霜霜;崔铮
主分类号	H01B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I
专利有效期	粘附性高的铜导电薄膜、其制备方法及应用至粘附性高的铜导电薄膜、其制备方法及应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备粘附性高的铜导电薄膜的方法，其包括：将粒径大于50nm且表面氧化层厚度小于2nm的铜颗粒分散在基底表面，形成铜膜；在空气气氛中对所述铜膜进行氙灯烧结，形成铜导电薄膜，其中采用的氙灯功率应使所述基底表面在烧结过程中承受的温度低于所述基底表层的玻璃化温度。本发明还公开了一种粘附性高的铜导电薄膜及其应用。本发明提供的粘附性高导电铜膜的制备方法操作简单，可采用非常低的氙灯功率，能耗低，且需额外添加增粘剂即可在低玻璃化转变温度衬底上实现粘附性高导电铜膜的制备，适于工业化生产。