专利详情

专利名称	Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法
申请号	CN201511015761.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106935701A	公开（授权）日	2017.07.07
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	汪昌州;刘东方;张伟;杨康
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法至Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法，所述Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜包括Si薄膜及GeTe薄膜，所述Si薄膜与所述GeTe薄膜交替排列形成多层薄膜结构。通过磁控交替溅射方法将相变材料GeTe和非相变材料Si在纳米量级进行复合形成多层相变薄膜结构，由于热稳定性的Si材料存在，Si/GeTe纳米复合多层薄膜能有效的提高相变薄膜材料的结晶温度，拓宽了相变材料的温度适用范围。随着周期单元中Si层厚度的增加，纳米复合多层薄膜的结晶温度也随之增加，因此，可以通过对Si层和GeTe层厚度比的调控，调节Si/GeTe纳米复合多层薄膜的结晶温度，从而达到改善相变薄膜热稳定性的目的。