专利详情

专利名称	一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法
申请号	CN201511026067.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106929918A	公开（授权）日	2017.07.07
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	田彦锋;许桂生;刘锦峰;朱秀
主分类号	C30B29/32(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/32(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I
专利有效期	一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法至一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法，所述锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶具有ABO₃型复合钙钛矿结构，其化学组成为(1-x)Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-xPbTiO₃+αMnO₂；式中，0.14≤x≤0.42，x表示PbTiO₃组分的摩尔比，锰离子作为掺杂离子取代B位，其掺杂浓度在0.1mol%≤α≤5mol%。本发明采用助溶剂方法，在化料前先进行预烧处理，与化料前不进行预烧处理相比，制备的单晶成分更为均匀，通过MnO₂掺杂改性，降低了该体系的漏电流和介电损耗，使极化更为充分，提高了压电性能，高温应用潜力巨大。