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一种含有银纳米棒的硅银碳纳米杂化材料及其制备方法和应用

  • 申请号:CN201710188806.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 公开(公开)号:CN106941160A
  • 公开(公开)日:2017.07.11
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种含有银纳米棒的硅银碳纳米杂化材料及其制备方法和应用
申请号 CN201710188806.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106941160A 公开(授权)日 2017.07.11
申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 程亚军;尹珊珊;方凯;谢双;姬青;朱锦
主分类号 H01M4/36(2006.01)I IPC主分类号 H01M4/36(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期 一种含有银纳米棒的硅银碳纳米杂化材料及其制备方法和应用 至一种含有银纳米棒的硅银碳纳米杂化材料及其制备方法和应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开一种含有银纳米棒的硅银碳纳米杂化材料及其制备方法和应用。本发明材料由硅纳米粒子、银纳米棒粒子分布在连续碳基质内,银纳米棒长度尺寸范围在10~100nm,直径范围在1~10nm。含有银纳米棒的硅银碳纳米杂化材料在锂离子电池负极材料方面的应用。本发明得到的硅银碳纳米杂化材料的特色在于:1)制备过程中没有用到任何溶剂,实验结束后无需溶剂后处理。2)热解树脂可以得到连续的碳基质,比单个碳包覆更有利于形成连续的导电网络。3)得到的硅银碳纳米杂化材料中含有银纳米棒,进一步增强了碳基质的导电性。

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