专利详情

专利名称	基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法
申请号	CN201510998013.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106915723A	公开（授权）日	2017.07.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	杨恒;戈肖鸿;吴燕红;豆传国;王小飞;孙珂;李昕欣
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法至基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（111）硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层；5）在所述（111）硅片正面形成第三深槽；6）在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层；7）采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁-质量块结构，可降低整个工艺的成本；梁结构的厚度由从（111）硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定，工艺精度高。