专利详情

专利名称	一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器
申请号	CN201710158556.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106910786A	公开（授权）日	2017.06.30
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	沈国震;娄正;李禄东
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器至一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器，以具有低暗电流和快响应速度的纳米线作为主体，然后在其表面生长具有高光电导增益的半导体材料的量子点，量子点在整个纳米线的表面均匀分布而且彼此分散，从而得到量子点修饰的纳米线一维异质结构，同时量子点与纳米线之间需要满足II型异质结构。紫外线光电探测器包括：量子点修饰的纳米线、衬底和源漏电极，量子点修饰的纳米线的两端连接源漏电极，量子点修饰的纳米线和源漏电极均位于衬底上，形成紫外线光电探测器，本发明可通过量子点修饰纳米线来增大光电探测器的光电导增益而同时又避免器件暗电流和响应时间增大。