专利详情

专利名称	一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法
申请号	CN201510952653.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106904599A	公开（授权）日	2017.06.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	狄增峰;汪子文;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;张苗;王曦
主分类号	C01B32/186(2017.01)I	IPC主分类号	C01B32/186(2017.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法至一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，图形锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的图形石墨烯。本发明通过在绝缘衬底上制备锗薄膜，并光刻刻蚀所述锗薄膜形成所需图形后，催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上图形石墨烯，克服了采用光刻刻蚀工艺对石墨烯进行刻蚀所带来的光刻胶等污染，提高了绝缘体上图形石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得质量很高的图形石墨烯。