专利详情

专利名称	一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法
申请号	CN201510952655.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106904600A	公开（授权）日	2017.06.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	狄增峰;汪子文;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;张苗;王曦
主分类号	C01B32/186(2017.01)I	IPC主分类号	C01B32/186(2017.01)I
专利有效期	一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法至一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的连续石墨烯。本发明通过绝缘衬底上锗薄膜催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上单层连续石墨烯，克服了传统工艺采用转移方法制备绝缘体上石墨烯所带来的如污染、皱褶等影响，提高了绝缘体上石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得大面积单层连续石墨烯。本发明步骤简单，效果显著，在石墨烯制备领域具有广泛的应用前景。