制备石墨烯透明导电薄膜的方法
- 申请号：CN201510941214.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所;康宁股份有限公司
- 公开(公开)号：CN106882926A
- 公开(公开)日：2017.06.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 制备石墨烯透明导电薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201510941214.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106882926A | 公开（授权）日 | 2017.06.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;康宁股份有限公司 | 发明（设计）人 | 黄富强;唐宇峰;毕辉;修同平;刘鑫媛;宋真 |
| 主分类号 | C03C17/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C17/22(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I |
| 专利有效期 | 制备石墨烯透明导电薄膜的方法 至制备石墨烯透明导电薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及制备石墨烯透明导电薄膜的方法，提供了一种制备石墨烯透明导电薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(i)在衬底表面生长一层石墨烯微晶；(ii)在所得的附着有石墨烯微晶的衬底表面涂布一层氧化石墨烯薄膜；以及(iii)将所得的表面修饰有氧化石墨烯和石墨烯微晶的衬底中的氧化石墨烯进行还原和修复，同时诱导石墨烯在石墨烯微晶上生长，得到石墨烯透明导电薄膜。 | ||
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