专利详情

专利名称	高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法
申请号	CN201710011291.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106868593A	公开（授权）日	2017.06.20
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	夏长泰;张宏哲;王林军;赛青林;周威;齐红基;潘明艳
主分类号	C30B29/16(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/16(2006.01)I;C30B13/00(2006.01)I
专利有效期	高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法至高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种电阻率低至10^?3Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga_2?2x?_2yIn_2xSn_2yO_3+y，其中x＝10～30mol％，y＝0.005～1mol％。同时公开了获得高电导率氧化镓晶体的制备方法，通过在氧化镓基质里面同时掺入Sn和In元素，使用光学浮区法生长出单晶，在较低的掺杂浓度下，获得较高的载流子浓度，实现氧化镓晶体电导率的提高。