
化合物氟硼酸钡镁和氟硼酸钡镁非线性光学晶体及制备方法和用途
- 申请号:CN201710092136.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院新疆理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN106868590A
- 公开(公开)日:2017.06.20
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 化合物氟硼酸钡镁和氟硼酸钡镁非线性光学晶体及制备方法和用途 | ||
申请号 | CN201710092136.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106868590A | 公开(授权)日 | 2017.06.20 |
申请(专利权)人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 潘世烈;米日丁·穆太力普;张敏 |
主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B15/36(2006.01)I;C01B35/06(2006.01)I |
专利有效期 | 化合物氟硼酸钡镁和氟硼酸钡镁非线性光学晶体及制备方法和用途 至化合物氟硼酸钡镁和氟硼酸钡镁非线性光学晶体及制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种化合物氟硼酸钡镁和氟硼酸钡镁非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为Ba3Mg3(BO3)3F3,分子量718.38,采用固相反应法合成化合物,该晶体的分子式为Ba3Mg3(BO3)3F3,分子量718.38,正交晶系,空间群Pna21,晶胞参数为a=8.0566(12)??,b=15.270(2)??,c=8.8018(13)??,Z=4,V=1082.9(3)?3,采用助溶剂法生长晶体,其粉末倍频效应约为KDP(KH2PO4)的1.8倍,具有宽的透光波段,紫外吸收边低于190nm。该晶体制备方法简单,成本低,制得的晶体机械硬度大,易于切割、抛光加工和保存,该晶体在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。 |
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