专利详情

专利名称	一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法
申请号	CN201611177450.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106802427A	公开（授权）日	2017.06.06
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	孙静;郭旗;施炜雷;于新;何承发;余学峰;陆妩
主分类号	G01T1/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01T1/02(2006.01)I;G05B19/042(2006.01)I
专利有效期	一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法至一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂量计的传感器国产化；提高了灵敏度，可用于更低累积剂量的测试；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件电离效应评估及寿命预测。