专利详情

专利名称	一种SOI MOS器件的热阻提取方法
申请号	CN201710021085.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106802385A	公开（授权）日	2017.06.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卜建辉;王成成;卢剑;罗家俊;韩郑生
主分类号	G01R31/26(2014.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2014.01)I
专利有效期	一种SOI MOS器件的热阻提取方法至一种SOI MOS器件的热阻提取方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种SOI?MOS器件的热阻提取方法，包括：在第一MOS器件处于非工作状态时，测试第二MOS器件在不同温度下的亚阈值斜率，获得亚阈值斜率标准数据；在第一环境温度下，测试当第一MOS器件处于工作状态时，第二MOS器件的当前亚阈值斜率；根据当前亚阈值斜率和亚阈值斜率标准数据，确定第一MOS器件的当前工作温度；根据当前工作温度与第一环境温度的差值，确定第一MOS器件的热阻。本发明提供的方法，解决了现有技术中PIV法测量热阻，存在的设备昂贵的技术问题。实现了一种简单且成本低的热阻测量方法。