一种长波长垂直腔面发射激光器
- 申请号：CN201611232774.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN106856296A
- 公开(公开)日：2017.06.16
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种长波长垂直腔面发射激光器 | ||
| 申请号 | CN201611232774.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106856296A | 公开（授权）日 | 2017.06.16 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘丽杰;王玥;吴远大;安俊明;胡雄伟 |
| 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种长波长垂直腔面发射激光器 至一种长波长垂直腔面发射激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种长波长垂直腔面发射激光器，包括衬底，衬底上依次为n型DBR、n型空间层、有源区、p型空间层、出光孔，p面电极蒸镀于p型空间层上，并包围出光孔，n型DBR中间设有电流限制层，电流限制层上形成有圆形电流限制孔，衬底和n型DBR为等直径的圆台型结构，其直径大于所述出光孔的直径，小于长波长垂直腔面发射激光器最终解离芯片横向尺寸。该结构能够减小长波长垂直腔面发射激光器内部的串联电阻，增加注入载流子的效率，实现器件的高速特性的改进。 | ||
交易流程
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