专利详情

专利名称	一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用
申请号	CN201510834660.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106801251A	公开（授权）日	2017.06.06
申请（专利权）人	中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司;中国科学院国有资产经营有限责任公司	发明（设计）人	郑伟;张学锋;杨海成;庞运伟;佟辉
主分类号	C30B17/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B17/00(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I
专利有效期	一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用至一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明公开了一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用，属于晶体生长制备技术领域。该工艺是在晶体等径后期的收尾阶段，降低底部的粘锅程度，以及判断晶体生长完毕后，晶体脱埚的工艺。本发明的优点在于：脱埚成功率可达80％以上；可有效解决晶体生长后期底部大面积粘埚现象，使晶体与坩埚壁分离，处于悬空状态，晶体直径一致性好，明显减小或消除晶体热应力，大幅降低晶体开裂的几率，提高晶体成品率和良率，并可有效缩短生长周期，有利于降低生产成本。