Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制法和用途
- 申请号：CN201710043512.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号：CN106800297A
- 公开(公开)日：2017.06.06
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制法和用途 | ||
| 申请号 | CN201710043512.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106800297A | 公开（授权）日 | 2017.06.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 罗军华;赵炳卿;赵三根 |
| 主分类号 | C01B33/20(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/20(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B9/08(2006.01)I |
| 专利有效期 | Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制法和用途 至Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制备方法和用途，涉及非线性光学晶体材料领域；Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体在1064nm处的倍频转换效率约为KH2PO4(KDP)晶体的0.5倍，其紫外吸收截止边短于200nm，且不吸潮；采用助熔剂法，以Rb2O?B2O3作助熔剂可以生长出具有一定尺寸的透明的Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体；Rb2ZnSi3O8晶体物理化学性质稳定、硬度适中，易于加工、保存和使用，可用于制作非线性光学器件，开拓紫外与深紫外波段的非线性光学应用。 | ||
交易流程
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