专利详情

专利名称	硅基电容式声发射传感器及其制备方法
申请号	CN201510881188.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106841396A	公开（授权）日	2017.06.13
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	杨恒;王小飞;豆传国;孙珂;吴燕红;李昕欣
主分类号	G01N29/14(2006.01)I	IPC主分类号	G01N29/14(2006.01)I
专利有效期	硅基电容式声发射传感器及其制备方法至硅基电容式声发射传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法，包括：声发射敏感膜；停靠环，位于声发射敏感膜的下表面；边框，位于声发射敏感膜外围，且与声发射敏感膜相隔一定的间距；边框的上表面设有上电极，下表面设有第一绝缘层；支撑膜，位于声发射敏感膜与边框之间；下电极硅片，下表面设有下电极，上表面设有第二绝缘层；第二绝缘层与第一绝缘层上下对应，且通过焊料层焊接在一起。支撑膜在大气压作用下变形，使得停靠环贴置于下电极硅片的上表面，声发射信号可以较好地耦合到声发射敏感膜上；在大气压作用下停靠环贴置于下电极硅片的上表面之后，声发射敏感膜与下电极硅片之间形成亚微米/纳米间隙，可极大地提高传感器的灵敏度。