降低氧化铪?氧化硅多层膜表面粗糙度的方法
- 申请号：CN201710000723.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海光学精密机械研究所
- 公开(公开)号：CN106835020A
- 公开(公开)日：2017.06.13
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 降低氧化铪?氧化硅多层膜表面粗糙度的方法 | ||
| 申请号 | CN201710000723.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106835020A | 公开（授权）日 | 2017.06.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 朱美萍;许诺;孙建;王建国;张伟丽;王胭脂;易葵;邵建达 |
| 主分类号 | C23C14/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/10(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I |
| 专利有效期 | 降低氧化铪?氧化硅多层膜表面粗糙度的方法 至降低氧化铪?氧化硅多层膜表面粗糙度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种降低氧化铪?氧化硅多层膜表面粗糙度的方法，使用HfO2?SiO2混合膜层取代多层膜中每一层纯HfO2膜层，蒸镀完SiO2膜层后，电子束同时蒸发HfO2膜料和SiO2膜料，HfO2和SiO2膜料沉积速率的比例大于4:1。本发明能够大幅降低HfO2?SiO2多层膜表面粗糙度，而且不会影响光谱和损伤阈值等性能。 | ||
交易流程
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