一种新型磁电调谐复合薄膜及其制备方法
- 申请号：CN201611245440.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN106835134A
- 公开(公开)日：2017.06.13
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种新型磁电调谐复合薄膜及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201611245440.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106835134A | 公开（授权）日 | 2017.06.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 董显林;郭新;陈莹;王根水 |
| 主分类号 | C23C28/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C28/04(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种新型磁电调谐复合薄膜及其制备方法 至一种新型磁电调谐复合薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种新型磁电调谐复合薄膜及其制备方法，所述磁电调谐复合薄膜自下而上包括依次形成于基底层上的钇铁石榴石薄膜层、电极层和钛酸锶铅薄膜层；所述钇铁石榴石薄膜层为钇铁石榴石铁磁相薄膜，化学组成为Y3Fe5O12；所述钛酸锶铅薄膜层为钛酸锶铅铁电相薄膜，化学组成为PbxSr(1?x)TiO3，其中0.2≤x≤0.8。本发明制备工艺简单，无需特殊设备，有利于规模化生产。 | ||
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