专利详情

专利名称	氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法
申请号	CN201710031318.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106816525A	公开（授权）日	2017.06.09
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王会武;刘全胜;张栖瑜;应利良;王镇
主分类号	H01L39/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L39/02(2006.01)I;H01L39/22(2006.01)I;H01L39/12(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I
专利有效期	氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法至氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法，包括：首先在衬底上沉积氮化铌?绝缘层?氮化铌三层薄膜结构，然后制备SQUID器件超导环和底电极结构；接着制备多个并联的约瑟夫森结；再在器件表面沉积绝缘薄膜，并在每个约瑟夫森结表面和底电极表面开孔，以使得后续步骤中引出顶电极；再沉积金属薄膜，制备金属旁路电阻；最后沉积氮化铌薄膜，制备梳状顶电极。通过本发明的制备方法和参数后处理方法，若测试发现NbN?SQUID器件的临界电流和旁路电阻数值与设计值有较大偏差时，可以对器件进行后期处理以使得临界电流和旁路电阻数值接近设计数值，从而提高器件一致性。