专利详情

专利名称	一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法
申请号	CN201510873494.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106811415A	公开（授权）日	2017.06.09
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所	发明（设计）人	秦建华;朱玉娟;尹方超;李中玉
主分类号	C12M3/06(2006.01)I	IPC主分类号	C12M3/06(2006.01)I
专利有效期	一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法至一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法，该微流控芯片主要由顶层芯片、多孔滤膜、中间层芯片，底层芯片组成，多孔滤膜通过不可逆封接顶层芯片的下表面，然后通过PDMS粘合中间芯片的上表面。底层培养室的坑状结构用于体外细胞、组织和器官的三维培养。该微流控芯片同时具有transwell小室、微流控芯片以及体外三维培养的功能，并可以实时观察底层芯片的细胞生长状况，可应用于药物代谢、器官发育等生物学研究。