专利详情

专利名称	基于有机染料的抗可见光近红外记忆像素
申请号	CN201611138823.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106783908A	公开（授权）日	2017.05.31
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	刘云圻;王翰林;刘洪涛;杨杰;胡文平
主分类号	H01L27/30(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/30(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I
专利有效期	基于有机染料的抗可见光近红外记忆像素至基于有机染料的抗可见光近红外记忆像素	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于有机染料的抗可见光近红外记忆像素。该记忆像素，由上至下依次为光敏分压器中的薄膜电阻层、金属电极层、隔离层和有机场效应晶体管存储器；其中，光敏分压器中的金属电极层位于有机场效应晶体管存储器中的金属电极层之上；隔离层填充光敏分压器中的薄膜电阻层和有机场效应晶体管存储器中的介电层之间未被光敏分压器中的金属电极层覆盖的区域。光敏分压器在近红外下光响应明显优于可见光。该近红外记忆像素能在近红外光敏分压器驱动下，将近红外信号转换为非挥发性存储信号，有潜力应用在红外探测器和波段选择的图像传感器领域。