
酞菁铜?氧化亚铜复合气敏元件及其制备方法
- 申请号:CN201710006271.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
- 公开(公开)号:CN106770470A
- 公开(公开)日:2017.05.31
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 酞菁铜?氧化亚铜复合气敏元件及其制备方法 | ||
申请号 | CN201710006271.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106770470A | 公开(授权)日 | 2017.05.31 |
申请(专利权)人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明(设计)人 | 段国韬;刘强;周飞;高磊 |
主分类号 | G01N27/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/00(2006.01)I |
专利有效期 | 酞菁铜?氧化亚铜复合气敏元件及其制备方法 至酞菁铜?氧化亚铜复合气敏元件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种酞菁铜?氧化亚铜复合气敏元件及其制备方法。气敏元件为附有电极的衬底上覆有薄膜状酞菁铜?氧化亚铜,其中,酞菁铜为棒状,氧化亚铜为颗粒状;方法为先配制酞菁铜硫酸溶液,再将其加入去离子水中搅拌后过滤,得到滤饼,接着,先将滤饼分别置于酸和碱溶液中分散后抽滤,再对纯化的酞菁铜使用去离子水洗涤并干燥,得到酞菁铜纳米棒,之后,先将酞菁铜纳米棒和氧化亚铜纳米颗粒混合后分散于正丁醇中,再通过界面自主装法将得到的混合溶液于去离子水表面形成酞菁铜?氧化亚铜薄膜,最后,先使用附有电极的衬底捞取薄膜,再将覆于衬底上的薄膜干燥,制得目的产物。它可极易于商业化地广泛应用于对三甲胺气体的高灵敏度检测。 |
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