专利详情

专利名称	硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片
申请号	CN201611088806.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106788765A	公开（授权）日	2017.05.31
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	李明;唐健;刘宇;袁海庆;祝宁华
主分类号	H04B10/516(2013.01)I	IPC主分类号	H04B10/516(2013.01)I;H04B10/54(2013.01)I
专利有效期	硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片至硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片，该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片包括：2个单模垂直耦合光栅，2个调制模块，1个2×1多模干涉耦合器，1个双模垂直耦合光栅。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片能够双波长、双偏振态工作，将偏振复用与波分复用相结合，实现复杂格式调制，提高数据调制速率。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片可实现双偏振16进制正交幅度调制，满足下一代光通信系统要求的高阶格式调制，调制速率可达到甚至超过400Gbit/s。