专利详情

专利名称	一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构
申请号	CN201611181748.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106783486A	公开（授权）日	2017.05.31
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	冯鸿涛;张志诚;陈艳;谢耀钦
主分类号	H01J35/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01J35/06(2006.01)I;H01J35/04(2006.01)I
专利有效期	一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构至一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构，其包括碳纳米管、导电底座、绝缘罩、绝缘垫片、聚焦桶、栅网、阳极靶、铍窗和球管，绝缘罩的底部与导电底座配合并将碳纳米管、绝缘垫片和栅网由下而上依次安装在导电底座的顶部，聚焦桶设置在绝缘罩的顶部，当对导电底座和栅网分别施加电压到阈值后，通过栅网调控碳纳米管产生的电流强度，电子从碳纳米管的端面拉出，经过聚焦桶进行电子聚焦形成光斑打在阳极靶上，产生X射线并朝铍窗方向透射出去。采用本发明，能解决传统X射线源采用热阴极作为电子源而导致工作温度高、功耗大、启动速度慢，使用寿命短、不利于实现射线源的小型化的问题，同时实现对场致发射的调控。