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高轨SAR垂直向非均匀植被冠层后向散射系数模拟方法

  • 申请号:CN201611126699.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院遥感与数字地球研究所;民政部国家减灾中心
  • 公开(公开)号:CN106772362A
  • 公开(公开)日:2017.05.31
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 高轨SAR垂直向非均匀植被冠层后向散射系数模拟方法
申请号 CN201611126699.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106772362A 公开(授权)日 2017.05.31
申请(专利权)人 中国科学院遥感与数字地球研究所;民政部国家减灾中心 发明(设计)人 刘龙;李素菊;谢酬;聂娟;邵芸;杨思全;徐丰;和海霞
主分类号 G01S13/88(2006.01)I IPC主分类号 G01S13/88(2006.01)I;G01S7/02(2006.01)I
专利有效期 高轨SAR垂直向非均匀植被冠层后向散射系数模拟方法 至高轨SAR垂直向非均匀植被冠层后向散射系数模拟方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明是有关于一种高轨SAR垂直向非均匀植被冠层后向散射系数模拟方法,包括以下步骤:确定植被冠层组件的种类;确定各种类植被组件体密度的垂直向分布函数;计算双矩阵算法中的薄层后向散射矩阵;计算植被冠层的后向散射系数。本发明将植被冠层组件体密度垂直向分布函数引入双矩阵算法进行后向散射系数模拟,为模拟植被冠层垂直向非均匀性对后向散射系数造成的影响研究提供了途径,尤其适用于高轨SAR观测。

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