专利详情

专利名称	一种变电场原子层沉积系统的控制方法
申请号	CN201611227769.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106756886A	公开（授权）日	2017.05.31
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卢维尔;夏洋;程嵩;李楠;李超波
主分类号	C23C16/455(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/455(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	一种变电场原子层沉积系统的控制方法至一种变电场原子层沉积系统的控制方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于原子层沉积技术领域，公开了一种变电场原子层沉积系统的控制方法，包括：上电极板和下电极板、直流电源、控制箱；通过调节直流电源，实现电场大小的切换；控制箱包含继电器、电容、电感、电阻，通过控制继电器端口的断开与相连，实现电场极性的切换；直流电源与控制箱连接，控制箱与上电极板、下电极板连接。解决了现有技术中对原子层沉积进行电场的快速自动化调节研究匮乏的问题。达到了在原子层沉积设备中实现电场极性和大小的快速任意切换，从而提高原子层沉积吸附反应的饱和度、优化薄膜的结晶和掺杂特性的技术效果。