专利详情

专利名称	用于制备大截面钨酸铅晶体的坩埚及晶体生长方法
申请号	CN201611219133.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106757306A	公开（授权）日	2017.05.31
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈良;袁晖;熊巍;周尧
主分类号	C30B11/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B11/00(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I
专利有效期	用于制备大截面钨酸铅晶体的坩埚及晶体生长方法至用于制备大截面钨酸铅晶体的坩埚及晶体生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及用于制备大截面钨酸铅晶体的坩埚及晶体生长方法，所述坩埚包括用于放置籽晶的籽晶段、以及位于所述籽晶段之后交替排列的放肩段和等径段，所述坩埚的放肩段数≥2、且等径段的直径依次递增。本发明所述坩埚采用多次放肩段和等径段交替设计，使各放肩段生长过程中产生的缺陷和热应力在等径段得到充分消除和减小，避免了一次放肩生长中因缺陷和应力的持续累积所导致的开裂，从而得以制备出完整的晶体。