专利详情

专利名称	半导体单管激光器的存储装置
申请号	CN201611121055.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106742604A	公开（授权）日	2017.05.31
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王鑫;吴霞;王翠鸾;井红旗;刘素平;马骁宇
主分类号	B65D25/52(2006.01)I	IPC主分类号	B65D25/52(2006.01)I;B65D25/10(2006.01)I;B65D21/032(2006.01)I;B65D85/86(2006.01)I
专利有效期	半导体单管激光器的存储装置至半导体单管激光器的存储装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体单管激光器的存储装置，由n个存储层叠置而成，每个存储层具有基板，基板上为上表面有凹陷空间的矩形平台，凹陷空间中有横向和纵向周期排列的矩形体，每个矩形体上有“+”字形凸台，“+”字形凸台向内凹陷的一个位置与相邻的三个“+”字形凸台向内凹陷位置形成“+”字形凸台为限位的存储空间，则“+”字形凸台四周形成四个相等的存储空间，用于存储半导体单管激光器；基板的下表面有与矩形平台相配合的凹槽，凹槽内与存储空间内角相对应的位置具有柱体，当存储层叠置于另一存储层时，柱体固定另一存储层的半导体单管激光器。本发明能有效避免单管出光面产生的任何损伤、金丝坍塌造成激光器正负极短路；还可将不同的单管分类存储。