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一种基于紫外拉曼光谱的测试压电效应的方法

  • 申请号:CN201510783302.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 公开(公开)号:CN106707044A
  • 公开(公开)日:2017.05.24
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种基于紫外拉曼光谱的测试压电效应的方法
申请号 CN201510783302.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106707044A 公开(授权)日 2017.05.24
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 顾泓;周桃飞;田飞飞;郑树楠;张志强;王建峰;徐科
主分类号 G01R29/22(2006.01)I IPC主分类号 G01R29/22(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I
专利有效期 一种基于紫外拉曼光谱的测试压电效应的方法 至一种基于紫外拉曼光谱的测试压电效应的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种基于紫外拉曼光谱的测试压电效应的方法,包括:在压电试块的上下表面分别制备上金属膜和下金属膜,得到膜层压电试块;测试膜层压电试块的第一拉曼光谱;以上金属膜和下金属膜为电极,向膜层压电试块施加电压,并测试膜层压电试块的第二拉曼光谱;根据第一拉曼光谱中第一E2(high)峰和第二拉曼光谱中第二E2(high)峰之间的水平间距,计算压电试块的应力大小;其中,用于测试膜层压电试块的第一拉曼光谱和第二拉曼光谱的激发光源均为紫外激光。根据本发明的方法以紫外激光作为激发光源获得压电试块的上表面的拉曼信号,避免了拉曼测试对压电试块的厚度的要求;同时上金属膜的设置还避免了该压电试块的表面态所引起的能带弯曲等不良影响。

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