专利详情

专利名称	一种MEMS晶圆切割方法及MEMS芯片制作方法
申请号	CN201710050894.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106711091A	公开（授权）日	2017.05.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘艳松;赵超
主分类号	H01L21/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/78(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I
专利有效期	一种MEMS晶圆切割方法及MEMS芯片制作方法至一种MEMS晶圆切割方法及MEMS芯片制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开MEMS晶圆切割方法及MEMS芯片制作方法，MEMS晶圆切割方法包括：将提供的MEMS晶圆贴在第一贴膜上，使MEMS晶圆上的MEMS芯片元件区位于第一贴膜的镂空区内；对MEMS晶圆背离MEMS芯片的表面进行切割；对切割后的MEMS晶圆进行扩片，得到多个独立的MEMS芯片。由于第一贴膜包括与MEMS晶圆上的MEMS芯片元件区相对应的镂空区；在将MEMS晶圆贴在第一贴膜上时，MEMS芯片元件区位于第一贴膜的镂空区内，从而在后续晶圆扩片过程中，使得第一贴膜对MEMS芯片的粘附力较小，避免了贴膜粘附力对MEMS芯片元件区的机械应力，进而降低了MEMS芯片的破片率，提高了MEMS芯片的产能。