专利详情

专利名称	相变材料层、相变存储器单元及其制备方法
申请号	CN201510737451.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106654005A	公开（授权）日	2017.05.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;丁科元;饶峰
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	相变材料层、相变存储器单元及其制备方法至相变材料层、相变存储器单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括Ti_xTe_1-x层及位于所述Ti_xTe_1-x层表面的Sb层，其中，0.33≤x≤0.56。本发明的相变存储器单元中的相变材料层的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容，且具有以下优点：所选区间的Sb层，具有很快地相变速度使相变存储器具有皮秒级的擦写操作时间，提高相变存储器的操作速度；所选区间Ti_xTe_1-x层，在高温下仍能保持结构的稳定性，提高超晶格结构整体的热稳定性；Ti_xTe_1-x层与衬底层有更好的粘附性，可以提高器件单元的循环操作次数，延长器件单元的寿命。